产品特点（Product Features):
? Fast 35 ns Read/Write Cycle
? SRAM Compatible Timing Uses Existing SRAM Controllers Without Redesign
? Unlimited Read & Write Endurance
? Data Always Non-volatile for >20-years at Temperature
? One Memory Replaces Flash, SRAM, EEPROM and BBRAM in System for Simpler, More Efficient Design
? Replace battery-backed SRAM solutions with MRAM to eliminate battery assembly, reliability, and liability issues
? 3.3 Volt Power Supply
? Automatic Data Protection on Power Loss
? Commercial, Industrial, and Automotive Temperatures
? RoHS-Compliant SRAM-compatible TSOPII Package
? RoHS-Compliant SRAM-compatible BGA Package Shrinks Board Area By Three Times
产品系列（Product Family）：
Part Number
（型号）
Description
（描述）
OperatingTemperature
(操作温度）
MR2560A08BYS35 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP Commercial
MR2560A08BYS35R 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP T&R Commercial
MR2560A08BMA35 3.3 V 32Kx8 MRAM 48-BGA Commercial
MR2560A08BCYS35 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP Industrial
MR2560A08BCYS35R 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP T&R Industrial
MR2560A08BCMA35 3.3 V 32Kx8 MRAM 48-BGA Industrial
MR2560A08BMYS35 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP Automotive
MR2560A08BMYS35R 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP T&R Automotive
MR2560A08BMMA35 3.3 V 32Kx8 MRAM 48-BGA Automotive
产品pin脚定义（Pin Diagrams ）：
我司是美国Everspin半导体中国区指定代理.
Everspin MRAM是一种具有革命性的存储器，其原理是利用电子自旋的磁性结构，
来提供不会产生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材
料中存储信息，以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。
主要代理MRAM（非易失性存储器）,可完全替代SRAM,NvSRAM,F-RAM，EEPROM,BBSRAM,FLASH容量有：
串口：256Kbit,1Mbit,4Mbit
型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装
MR25H256 256Kb 32K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN
MR25H10 1Mb 128K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN
MR25H40 4Mb 512K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN,8-DIP
并口（*8bit):256Kbit,1Mbit,4Mbit
型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装
MR256A08B 256Kb 32K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR0A08B 1Mb 128K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR0D08B 1Mb 128K*8 45ns 2.7V~3.6V,I/O 1.8V Blank 48-BGA
MR2A08A 4Mb 512K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR4A08B 16Mb 2Mb*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
并口（*16bit):1Mbit,4Mbit,16Mbit
型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装
MR0A16A 1Mb 64K*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR2A16A 4Mb 256K*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR4A16B 16Mb 1Mb*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 54TSOP,48-BGA
如有需要请随时和我们联系.
我们原厂供货，价格&交期较有优势.
谢谢！
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Coco Lee(李女士)
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